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Science初次援用《半导体学报》论文—往事—迷信网

2024-05-06 15:14:13 [热点] 来源:供认不讳网
源头:中科院半导体所微信公共号 宣告光阴:2018/11/14 15:11:20 抉择字号:小 中 大
Science初次援用《半导体学报》论文

 

自2004年发现石墨烯以来,初次援二维原子单晶搜罗石墨烯、用半过渡金属硫族化物(TMDs)以及最近发现的导体单元素二维X-烯(Xenes, 如磷烯、硅烯、学报锑烯)等,论文由于具备配合优异的往事网物理光电功能,而沉闷成为现今质料迷信规模的迷信前沿,并引领了后摩尔时期的初次援电子、信息以及能源等规模的用半快捷睁开,其发现者A. Geim以及K. Novoselov也因此取患了2010年度的导体诺贝尔物理学奖。比照于Si基以及GaAs基等传统半导体,学报二维质料具备高迁移率、论文高吸光率以及CMOS兼容以及高透明、往事网强韧性以及低老本等紧张优势 [1-4],迷信为新一代可衣着、初次援高密集以及智能化的光电子集成电路的睁开提供了新型的质料根基清静台。

我国科研使命者也立足于二维质料在未来科技规模的重大运用远景,为抢占二维新兴规模的国内制高点,睁开了大批的前瞻性根基以及运用钻研使命。作为半导体规模的驰名中间期刊,《半导体学报》也不断报道国内外该规模的最新睁开情景,并实时聘用中科院半导体所李京波钻研员以及南京大学王欣然教授作为客座编纂,出书了题为“2D Materials and Devices”的专题特刊。李京波小组是国内上最先睁开二维半导体质料与器件的钻研小组之一,取患了国内学术界的普遍关注,其组内中间成员霍能杰博士以及杨玉珏博士于2017年3月在《半导体学报》上宣告了问题为“ Optoelectronics based on 2D TMDs and heterostructures ”的原创性论文 [5]。该论文零星报道了基于自主研发的二维半导体及其异质结的质料制备措施、随厚度依赖的光学功能(PL以及拉曼)以及高功能光电子器件(搜罗晶体管、光电探测器以及光伏电池等)的钻研使命,为二维半导体技术的睁开起到了确定的增长熏染以及教育意思。特意是,详细钻研了二维TMDs及异质结的层间耦协熏染以及量子限度效应答声子方式以及能带妄想的紧张影响以及外在机制,发现单层TMDs具备直接带隙妄想并展现出卓越的荧光功能(图1)。

图1(a)单层以及双层WS2的PL谱,插图为TMDs的原子妄想展现图。(b)差距层数WSe2的PL谱。

最近,美国麻省理工学院(MIT)的Jeehwan Kim教授于2018年11月在国内顶级期刊Science上宣告了题为“ Controlledcrack propagation for atomic precision handling of wafer-scale two-dimensional materials ”的论文 [6],争先开拓出一种层分说率割裂(LRS)技术来破费晶圆规模的单层二维质料,具备使二维半导体技术走向商业化的里程碑式意思。值患上留意的是,该Science论文在两处侧面援用了上述《半导体学报》的论文,他们用了大篇幅并接管《半导体学报》报道的试验服从(即单层WS2的直接带隙~1.99 eV及强烈的荧光功能(图1a)),以作为他们乐成制备出单层WS2的紧张凭证之一。这两处分辩为:“ Successful isolation of the WS2 monolayer was confirmed by the substantial enhancement of the peak intensity of the PL spectra (Fig. 2D) at its direct gap of 1.99 eV, as compared with the weak and wide PL characteristic of a thick WS2 layer at its indirect gap of 1.97 eV”以及“Wafer-scale monolayer thickness was also confirmed by mapping the PL peak position where peaks are all concentrated at its direct gap of 1.99 eV (Fig. S7)”。

这是国内顶级杂志Science以及天下顶尖学府MIT初次侧面援用报道《半导体学报》上的原创性论文,标明了我国科技使命者在二维质料规模的原始立异能耐以及《半导体学报》在国内学术界越来越紧张的国内影响力。

Science侧面报道以及援用《半导体学报》原创性论文也表明,中国科研使命者的原创性下场,宣告在《半导体学报》上同样能发生紧张的国内影响力!《半导体学报》将不断自动于向全天下推广中国的优异原创下场,期待更多中国作者把论文写在中国大地上,写在《半导体学报》上!

参考文献

[1] K. S. Novoselov, et al, Science 2004, 306, 666.

[2] O. Lopez-Sanchez, D. Lembke, M. Kayci, A. Radenovic, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 2013, 8, 497.

[3] A. K. Geim, I. V. Grigorieva, Nature 2013, 499, 419.

[4] K. Kang, et al, Nature 2015, 520, 656.

[5] N. Huo, Y. Yang, J. Li, J. Semicond. 2017, 38, 031002.

[6] J. Shim, et al, Science 2018, 362, 665.

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(责任编辑:探索)

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